სამეცნიერო მიმართულებები:
• ნახევარგამტარული მასალების მოცულობითი კრისტალების, პოლირებული ფუძეშრეებისა და p-n სტრუქტურების ტექნოლოგია;
• ნახევარგამტარული მასალათმცოდნეობა.
ნახევარგამტარული მასალათმცოდნეობის ლაბორატორიაში ხორციელდება ჩოხრალსკის მეთოდით დონორული და აქცეპტორული მინარევებით ლეგირებული Si, Ge და SiGe შენადნობების მონო- და პოლიკრისტალური ნიმუშების მიღება, მაღალი ხარისხის პოლირებული ფუძეშრეების დამუშავება, მათ საფუძველზე სხვადასხვა ტექნოლოგიური მეთოდით p-n სტრუქტურების შექმნა და მათი ელექტროფიზიკური მახასიათებლების დიაგნოსტიკა.
რენტგენული დიფრაქციული და ოპტიკური მეტალოგრაფიული მეთოდებით სრულდება ნახევარგამტარული ფუძეშრეებისა და პროფილირებული ნიმუშების კრისტალოგრაფიული ორიენტაციებისა და სტრუქტურული დეფექტების მახასიათებლების კვლევები.
ფოსფორისა და ბორის მაღალტემპერატურული დიფუზიით SiGe ფუძეშრეებზე იქმნება p-n სტრუქტურებისა და ომური კონტაქტების ფორმირება და მათი ელექტროფიზიკური და ოპტიკური მახასიათებლების კვლევა, მზის ენერგიის ფოტოელექტრული გარდამქმნელებისა და იწ გამოსხივების დიაპაზონში მომუშავე ფოტოდეტექტორების შესაქმნელად.
ია ყურაშვილი - დოქტორი, ლაბორატორიის ხელმძღვანელი, მთავარი მეცნიერ-თანამშრომელი;
ვახტანგ გაბუნია- მეცნიერ-თანამშრომელი;