სემინარი თემაზე: რადიაციის გავლენა n - და p- ტიპის SiGe ფუძეშრეების ელექტროფიზიკურ თვისებებზე ი.წ. დეტექტორებში გამოსაყენებლად
2024 წლის 1 ივლისს სოხუმის ილია ვეკუას ფიზიკა-ტექნიკის ინსტიტუტში გაიმართა სამეცნიერო სემინარი თემაზე: რადიაციის გავლენა n- და p-ტიპის  SiGe ფუძეშრეების ელექტროფიზიკურ თვისებებზე ი.წ. დეტექტორებში გამოსაყენებლად. მომხსენებელი: ნახევარგამტარული მასალათმცოდნეობის ლაბორატორიის ხელმძღვანელი, მთავარი მეცნიერ-თანამშრომელი: ია ყურაშვილი. 
01.07.2024