გიორგი დარსაველიძე
დაბადების თარიღი:  1939-06-15
ელ-ფოსტა: g.darsaveli@gmail.com

განათლება:
• 1963-1968წწ.    საქართველოს მეცნიერებათა აკადემიის მეტალურგიის ინსტიტუტის
ასპირანტურის განყოფილება. სპეციალობა:  მყარი სხეულების ფიზიკა.
• 1958-1963წწ.   ა.პუშკინის სახ. პედაგოგიური ინსტიტუტი .  სპეციალობა:  ფიზიკა
და  წარმოების საფუძვლები.

სამეც. / აკად. ხარისხი:   ფიზ.მათ. მეცნ.დოქტორი,  პროფესორი
თანამდებობა:  ნახევარგამტარული მასალათმცოდნეობის ლაბორატორიის ხელმძღვანელი

სამუშაო გამოცდილება:   
• 2012წ.-დღემდე სსიპ სოხუმის ილია ვეკუას ფიზიკა-ტექნიკის ინსტიტუტის,  ნახევარგამტარული მასალათმცოდნეობის  ლაბორატორიის ხელმძღვანელი
• 2006 – 2017წწ. საქ. ტექნ. უნივერსიტეტის სრული პროფესორი;
• 2001-2006წწ. საქ. ტექნ. უნივერსიტეტის პროფესორი ;
• 2010-2012წ.  სსიპ სოხუმის ილია ვეკუას ფიზიკა-ტექნიკის ინსტიტუტის, თერმოელექტრული ნახევარგამტარული მასალათმცოდნეობისა და ხელსაწყოთმშენებლობის  ლაბორატორიის ხელმძღვანელი
• 2007წ. – 2010წ. სოხუმის ილია ვეკუას ფიზიკა-ტექნიკის ინსტიტუტის მთავარი მეცნ. თანამშრომელი (შეთავსებით);
• 2008წ. – 2010წ. ფერდინანდ თავაძის მეტალურგიისა და მასალათმცოდნეობის ინსტიტუტის ნახევარგამტარი მასალებისა და ფერადი ლითონების ლაბორატორიის გამგე;
• 2005-2008წ.წ. ფერდინანდ თავაძის მეტალურგიისა და მასალათმცოდნეობის ინსტიტუტის მთავარი მეცნ. თანამშრომელი;
• 2005-2006წ.წ. საქ. მეცნ. აკადემიის ფ. თავაძის მეტალურგიისა და მასალათმცოდნეობის ინსტიტუტის დირექტორის მოადგილე სამეცნიერო დარგში;
• 1989-2005წ.წ. საქ. მეცნ. აკადემიის მეტალურგიის ინსტიტუტის ნახევარგამტარი მასალების ლაბორატორიის გამგე;
• 1972-1989წ.წ. საქ.მეცნ. აკადემიის მეტალურგიის ინსტიტუტის უფრ. მეცნიერი თანამშრომელი;
• 1969წ. საკანდიდატო დისერტაციის დაცვა ფიზ.-მათ.მეცნ. კანდიდატის ხარისხის მინიჭებით;
• 1968-1972წ.წ. საქ.მეცნ. აკადემიის მეტალურგიის ინსტიტუტის უმცრ. მეცნ.თანამშრომელი;
• 1965-1968წ.წ. მეტალურგიის ინსტიტუტის ასპირანტი;
• 1963-1964წ.წ. ქ. თბილისის მე-60 საშ.სკოლის მასწავლებელი;

პუბლიკაციების რაოდენობა : 175

შერჩეული  პუბლიკაციები:

1. I.Kurashvili, G.Darsavelidze,  G.Bokuchava,  I.Tabatadze, G.Chubinidze. "Physical-Mechanical Properties of Monocrystalline Si1-xGex(x≤0.02)  Alloys“. International Journal of Mechanical And Production Engineering, ISSN(p): 2320-2092, ISSN(e): 2321-2071. Vol. 6, #1, 2018
2. I.Kurashvili, G.Darsavelidze. Highamplitude internal friction in monocrystalline germanium-doped silicon. Physica Status Solidi (c) Vol. 14,  7, 2017.
3. I.Kurashvili, G.Darsavelidze, A.Sichinava, I.Tabatadze "Influence of Boron Doping and Thermal Treatment on Internal Friction of Monocrystalline    Si1-xGex(x≤0,02) Alloys“. International Scholarly and Scientific Research & Innovation 10(7) 2016. p.796-799
4. I.Kurashvili, A.Sichinava, G.Bokuchava, G.Darsavelidze. “Physical-mechanical characteristics of monocrystalline Si-Ge solid solutions“. International Scholarly and Scientific Research & Innovation. 2015. Vol. 9, #7.
5. I.Kurashvili, G.Darsavelidze.“Mechanical relaxation processes in monocrystalline Si-Ge alloys” Proceedings of International conference on “Advanced Materials and Technology” pp. 83-85. 2015. №1. Tbilisi, Universali.
6. I.Kurashvili, G.Darsavelidze, G.Bokuchava, I.Tabatadze, G.Chubinidze. “Influence of germanium and boron doping on structural and physical-mechanical properties of monocrystalline silicon“. Scientific Publications: Materials, Methods and Technologies. 2014, vol: 8, p.. 298-302
7. I.Kurashvili, E.Sanaia, G.Darsavelidze, A.Sichinava, I.Tabatadze, V.Kuchukhidze. “Physical-mechanical properties of germanium doped monocrystalline silicon”. Journal of Materials Science and Engineering A3 2013, (10) p. 698-703
8. G.Darsavelidze, G.Bokuchava, A.Sichinava, I.Kurashvili, Z.Chachkiani. Influence of germnaium on the physical-mechanical properties of  SiGe bulk crystals. Proceedings of the 16-th international meeting "Ordering in Minerals and Alloys" 2013. Rostov, Russia vol.2.p.186-189
9. G.Darsavelidze, G.Bokuchava, G.Chubinidze, I.Kurashvili, G.Archuadze, B.Shirokov. Dynamic mechanical properties of  monocrystals of SiGe systems. Proceedings of XX international conference on physics of radiation phenomena and radiation material science. Alushta,  2012, p.279-280.
10. G.Chubinidze, I.Kurashvili, M.Darchiashvili, Z.Chachkhiani, G.Darsavelidze. Physical-mechanical properties of monocrystllaine Ge:B alloys.  Proceedings of the 15th International Meeting "Ordering in Minerals and Alloys". 2012, Rostov, Russia, p.278-282
11. E.Sanaia, I.Kurashvili, M.Darchiashvili, G.Darsavelidze. Inelastic properties of YBaCuo superconductor cermaics.  Journals of Materials Science and Engineering, 2011, vol. 15, #.6,p.102-105
12. G.Archuadze, G.Chubinidze, I.Kurashvili, G.Bokuchava, G.Darsavelidze. Inelastic properties of monocrystalline  Ge-Si alloys. Georgian International Journal of Science and Technology, Nova Publishers. 2011, vol.3, #4. pp.365-369.
13. Lezhava D, Darsavelidze G, Gabunia D, Tsagareishvili O, Antadze M,  Gabunia V. “Influence of carbon content on physico-me¬chanical characteristics of boron carbide.” Journal of  Solid State Chemistry  179 (9):  2934-2938,  2006
14. Darsavelidze G, Gabunia D, Tsagareishvili O, Zoidze Z, Antadze M, Tsikaridze J, Kutelia E. “Physical-Mechanical Properties of Zr-(Re)-Doped β-Rhombohedral Boron.” Journal of  Solid State Chemistry 117 (2): 605-608, 2004
15. Antadze M.,  Zoidze Z, Darsavelidze G, Gabunia D,  Tsagareishvili O, Lezhava D. “Physical-Mechanical Properties of  Fe-Doped Boron.” Journal of  Solid State Chemistry  154 (1): 188-190,   2000

საერთაშორისო სამეცნიერო ფორუმებში (კონფერენციებში) მონაწილეობა:

• XI International Conference on Science, Technology, Engineering and Management. Physical-Mechanical Properties of Monocrystalline Si1-xGex(x≤0.02)  Alloys. Turkey, Istanbul, 2017.
• 2017 - Sustainable Industrial Processing Summit & Exhibition. The main stages of development of thermoelectricity in Ilia Vekua Sukhumi Institute of Physics and Technology . Cancun, Mexico, 2017.
• GADEST  2017, Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology. Highamplitude internal friction in monocrystalline germanium-doped silicon. Georgia, Lopota, 2017.
• 7th  World Congress on Petrochemistry and Chemical Engineering. Materials of antisublimation coatings for semiconducting branches of thermoelements. Atlanta, USA, 2017.
• 18th International Conference on Materials Engineering and Technology. Influence of Boron Doping and Thermal Treatment on Internal Friction of Monocrystalline    Si1-xGex(x≤0,02) Alloys. Sweden, Stockholm, 2016.
• 17th International Conference on Engineering Materials and Application. Physical-mechanical characteristics of monocrystalline Si-Ge solid solutions. France, Paris, 2015.
• 12th  International Conference on the Mechanical Behavior of Materials.“ Internal Friction and Shear Modulus Temperature Dependence of 9%Cr Ferritic Steel P92 in 25 ÷750°C Temperature Range“. Karlsruhe, Germany, 2015.
• The 18th International Symposium on Boron, Borides and Related Materials (ISBB 2014) Influence of real structure on physical-mechanical properties of polycrystalline  β-rhombohedral boron.  Hawaii, USA, 2014.
• The 16th  International Conference "Materials, Methods and Technology" Influence of germanium and boron doping on structural and physical-mechanical properties of monocrystalline silicon. Bulgaria, 2014
• 2014 MRS SPRING MEETING & EXHIBIT, A Meeting of the Materials Research Society. Synthesis of Massive MgB2 Superconductors by Using Hot Pressing Method, San-Francisco, USA, 2014.
• Advanced Materials World Congress (AMWC 2013). Physical-mechanical properties of germanium doped monocrystalline silicon. Izmir, Turkey, 2013
• XX International Conference on physics of radiation phenomena and radiation material science Dynamical mechanical characteristics of monocrystals of Si-Ge systems. Alushta, 2012.
• XV International Meeting "Ordering in minerals and alloys" Physical-mechanical properties of monocrystalline Ge:B. Russia, Rostov, 2012.


სამეცნიერო საგრანტო პროექტებში მონაწილეობა :

SRNSF FR 217562 “Si-Ge მონოკრისტალების შინაგანი ხახუნის სპექტრებისა და მიკროსისალის თავისებურებანი” 2016-2019წწ. (პროექტის ხელმძღვანელი)
STCU 560 "სამიზნეები მაღალტემპერატურული ზეგამტარი ფირებისათვის“ (STCU)-2012- 2013წწ. (მკვლევარი)
P467 "SiGe-ს ფუძეზე მოცულობითი მონოკრისტალებისა და ჰეტეროეპიტაქსიური სტრუქტურების დამუშავება ახალი ოპტოელექტრონული ხელსაწყოებისათვის“ (STCU)-2011-2013წწ. (მენეჯერი)
STCU #434 “დნობადი მარილებისგან მყარი ალუმინის დანაფარის მიღებისათვის დაბალ-ტემპერატურული ელექტრო- ქიმიური ტექნოლოგიის დამუშავება“.(STCU)-2011-2012 (მკვლევარი)
STCU/GNSF #4996/540. სილიციუმ-გერმანიუმის ნანოსტრუქტურული შენადნობების მიღება აფეთქებით კომპაქტირების ტექნოლოგიით და მათ ბაზაზე მაღალეფექტური თერმოელექტრული ბატარეების შექმნა. 2009-2011წწ. (მკვლევარი).
STCU  #4655 "ჰელიოთერმოელექტროგენერატორის დამზადების ტექნოლოგიის დამუშავება  და საცდელი ნიმუშის შექმნა. (STCU)-2008-2010წწ. (თანახელმძღვანელი)