ავთანდილ სიჭინავა

დაბადების თარიღი: 1951.06.17
ელ-ფოსტა: avtandil.sichinava@gmail.com

განათლება:
• 2012-2015წწ. საქართველოს ტექნიკური უნივერსიტეტი, დოქტორანტურა. საინჟინრო ფიზიკა.
• 1969-1975წწ. ივანე ჯავახიშვილის სახელობის თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტი, თეორიული ფიზიკა
სამეც. / აკად. ხარისხი: დოქტორი

თანამდებობა: უფროსი მეცნიერ-თანამშრომელი
სამუშო გამოცდილება:
• 2016 წლიდან დღემდე.  სოხუმის  ილია  ვეკუას  ფიზიკა-ტექნიკის  ინსტიტუტი (სფტი).  ნახევარგამტარული და რადიაციული ტექნოლოგიების ლაბორატორია. უფროსი მეცნიერ თანამშრომელი.
• 1992-2016წწ. სოხუმის ილია ვეკუა ფიზიკა-ტექნიკის ინსტიტუტი, ნახევარგამტარული და რადიაციული ტექნოლოგიების ლაბორატორია. მეცნიერ-თანამშრომელი.
• 1988-1992 წწ. სოხუმის ილია ვეკუა ფიზიკა-ტექნიკის ინსტიტუტი, 50-ე განყოფილება, ლაბორატორია #55, ჯგუფის უფროსი.
• 1978-1988 წწ. სოხუმის ფიზიკა-ტექნიკის ინსტიტუტი, 50-ე განყოფილება, ლაბორატორია #55, უმცროსი მეცნიერ-თანამშრომელი.
• 1975-1978 წწ. სოხუმის ფიზიკა-ტექნიკის ინსტიტუტი, 50-ე განყოფილება, ლაბორატორია #55. ინჟინერი.

შერჩეული  პუბლიკაციები:
1. A.Guldamashvili, Yu. Nardaya, Ts. Nebieridze, E. Sanaia, A. Sichinava, M. Kadaria. Radiation hardening of molybdenum  by argon ion implantation. Journal of Materials Science &  Engineering: A. 2017
2. A.Guldamashvili, Yu. Nardaya, Ts. Nebieridze, E. Sanaia, A. Sichinava, M. Kadaria Mechanical Properties of Tungsten Implanted with. Boron and Carbon Ions. Journal of Materials Science &  Engineering: A. 2017, V.7, (3-4).
3. A.Guldamashvili, Yu.Nardaya, Ts. Nebieridze, E.Sanaia, A. Sichinava , M. Kadaria. Mechanical  Properties of Tungsten Implanted with Boron and Carbon Ions. Materials Science and Engineering: A.&B Structural Materials: Properties, Microstructure and Processing, 2017. No. JMSE 20170307-1. 2017.
4. A.Sichinava, G.Bokuchava, N. Gapishvili, G. Chubinidze, G.Archuadze.“Influence of irradiation on mechanical properties of  Si-Ge alloys”. Physica Status Solidi (c) Vol. 14, 7, 1/00094 , 2017
5. A.Guldamashvili, Yu. Nardaya, Ts. Nebieridze, E. Sanaia, A. Sichinava, M. Kadaria. Hardened and Wear Resistant Tungsten for Products with Increased operational Properties. Georgian Chemical Journal. 16 (1) 2016.
6. I.Kurashvili, G.Darsavelidze, G.Bokuchava, A.Sichinava, I.Tabatadze. Influence of Boron Doping and Thermal Treatment on Internal Friction of Monocrystalline Si1-xGex(x≤0,02) Alloys. International Scholarly and Scientific Research & Innovation 10(7) (2016).
7. I. Kurashvili, A. Sichinava, G. Bokuchava, G. Darsavelidze. Physical-Mechanical Characteristics of  Monocrystalline Si1-xGex (x≤0,02) Solid Solutions. International Journal of Mathematical, Computational, Physical, Electrical and Computer Engineering V.9, No.7, (2015).
8. A.Guldamashvili, G. Bokuchava, N.Kutsia, Yu.Nardaya , Ts.Nebieridze, A. Sichinava . Ion-implanted Nanosized Metals with Improved Surface layer Mechanical Parameters . 3rd International Conference “Nanotechnologies, Tbilisi,Technical University. 2014, p. 47-48.
9. A. Guldamashvili, G. Bokuchava, Yu.Nardaya, T. Nebieridze, A. Sichinava. Ion-Implanted Semiconductor Neutron Sensor (IISNS). International Conference. Nuclear Radiation Nanosensors and Nanosensors Systems. Program & Abstracts. ( 2014 Tbilisi, Georgia). Tbilisi, Georgian Technical University. 2014, p. 122-125
10. I. Kurashvili, E.Sanaia, G.Darsavelidze, A.Sichinava, I.Tabatadze, V.Kuchukhidze.  Physical-mechanical properties of germanium doped monocrystalline silicon. Journal of Materials Science and Engineering A3, 2013, (10) p. 698-703.
11. B. Gorgiladze, R. Vardiashvili, A. Sichinava. “ Concept of chemical surface and vacancy-mediated exoemission”. Journal of Thermal Analysis and Calorimetry, Shpringer, 2012, V.110, №1, p. 59-63.
12. G.Bokuchava, A.Guldamashvili, V.Gverdtsiteli, G.Darsavelidze, T.Nebieridze, A.Sichinava. Determination of the Laws and Mechanisms of degradation of Thermoelectric Properties of Silicon-Germanium Alloys during Irradiation in Reactor. Bulletin of Georgian National Academy of Sciences. 2009, v.3, #3, pp.65-68
13. D.Armor, B.Gorgiladze, G.Meskhi, A.Sichinava. Emission of multi-charged and cluster ions. Book of reports of XVII International conference Ion-surface interactions ISI-2005. Vol. 1. ISBN 5-7035-1560-2. http://inisdb.iaea.org/?nRN=38067473

საერთაშორისო სამეცნიერო ფორუმებში (კონფერენციებში) მონაწილეობა:
• MARQUIS INTERNATIONAL SYMPOSIUM. 3rd International Symposium on New and Advanced Materials and Technologies in Energy, Environment and Sustainable Development. Radiation Hardening of  Molybdenum by  argons ion implantation. Cancun, Mexico. 2017.
• Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology  GADEST 2017 XVIIth  International Biannual Meeting. Ion Implanted Silicon Diode for Neutron Detection. Lopota Resort, Georgia. 2017.
• 18th International Conference on Materials Engineering and Technology. Influence of Boron Doping and Thermal Treatment on Internal Friction of Monocrystalline Si1-xGex(x≤0,02) Alloys. Stockholm, Sweden. 2016.
• 4th International Conference “Nanotechnologies” Nano-2016. MODIFICATION OF TUNGSTEN SURFACE BY ION IMPLANTATION TECHNOLOGY. Tbilisi, Georgia. 2016.
• 17th International Conference on Engineering Materials and Applications. Physical-mechanical characteristics of monocrystalline Si-Ge solid solutions. Paris, France. 2015.
•International Conference & Exhibition on Advanced & Nano Materials. Influence of Real Surface on Physical-Mechanical Properties of β-rhombohedral Boron. Ottawa, Canada. 2015.
• International conference Advanced  Materials  and Technologies (ICAMT 2015). Investigation of photoelectric sensitivity spectra in the near infrared radiation range of p-n structures formed on Si-Ge substrates. Tbilisi, Georgia. 2015.
• International Conference:Nuclear Radiation Nanosensors and Nanosensors Systems. Ion-Implanted Semiconductor Neutron Sensor (IISNS). Tbilisi, Georgia. 2014.
• Advanced Materials World Congress (AMWC 2013). Physical-mechanical properties of germanium-doped monocrystaline silicon. Izmir, Turkey, 2013.
• 16th International meeting  "Ordering in minerals and alloys“. Influence of Germanium on Physical-Mechanical Properties of Si1-xGex. Rostov-on-Don-Tuapse, Russia, 2013.
• XIX International Conference on Physics of Radiation Phenomena and Radiation Material Science. Influence of High Temperature Annealing on Electro-Physical and Mechanical Characteristics of Monocrystalline Si1-xGex(x≤0,03). Alushta, Ukraine, 2010.

სამეცნიერო საგრანტო პროექტებში მონაწილეობა :
6212/MTCU/34/6-480/15 Graphene structure containing hybrid ceramic composites  based on alumina. სამეცნიერო-ტექნოლოგიური ცენტრი უკრაინაში STCU, შოთა რუსთაველის ეროვნული სამეცნიერო ფონდი SRNSF. 2016-2018. (ძირითადი პერსონალი).
216902 ნახევარგამტარული იონიმპლანტაციური ნეიტრონების დეტექტორი ბირთვული უსაფრთხოებისათვის. შოთა რუსთაველის ეროვნული სამეცნიერო ფონდი SRNSF. 2016-2018. (პროექტის კოორდინატორი).
• Graphene 3D. The EU Framework Program for Research and Innovation №734164 Horizon2020 Marie Składowska-Curie Research and  Innovation Staff Exchange. 2017-2020. (მკვლევარი).
AR/167/3-121/14. გაუმჯობესებული მექანიკური პარამეტრების იონიმპლანტაციური მასალების შექმნა გაზრდილი ექსპლოატაციური მახასიათებლების ნაკეთობათა წარმოებისათვის. შოთა რუსთაველის ეროვნული სამეცნიერო ფონდი SRNSF. 2015-2017. (ძირითადი პერსონალი).
Р466 STCU რადიაციულად მოდიფიცირებული იონური იმპლანტირებული მასალები. მეცნიერების და ტექნოლოგიების ცენტრი უკრაინაში (STCU)  და აშშ-ს ენერგეტიკის დეპარტამენტი (DOE). 2012-2014. (ექსპერიმენტული კვლევა)
GNSF/ST08/7-476. იონიმპლანტირებული ახალი მასალები მიკრო- და ნანოტექნოლოგიებისთვის. საქართველოს ეროვნული სამეცნიერო ფონდი (GNSF). 2008-2010. (მკვლევარი).