დაბადების თარიღი: 1951.06.17
ელ-ფოსტა: avtandil.sichinava@gmail.com
განათლება:
• 2012-2015წწ. საქართველოს ტექნიკური უნივერსიტეტი,
დოქტორანტურა. საინჟინრო ფიზიკა.
• 1969-1975წწ. ივანე ჯავახიშვილის სახელობის თბილისის
სახელმწიფო უნივერსიტეტი, თეორიული ფიზიკა
სამეც. / აკად. ხარისხი: დოქტორი
თანამდებობა: უფროსი მეცნიერ-თანამშრომელი
სამუშო გამოცდილება:
• 2016 წლიდან დღემდე.
სოხუმის ილია ვეკუას ფიზიკა-ტექნიკის
ინსტიტუტი (სფტი). ნახევარგამტარული და რადიაციული
ტექნოლოგიების ლაბორატორია. უფროსი მეცნიერ თანამშრომელი.
• 1992-2016წწ. სოხუმის ილია ვეკუა
ფიზიკა-ტექნიკის ინსტიტუტი, ნახევარგამტარული და რადიაციული
ტექნოლოგიების ლაბორატორია. მეცნიერ-თანამშრომელი.
• 1988-1992 წწ. სოხუმის ილია
ვეკუა ფიზიკა-ტექნიკის ინსტიტუტი, 50-ე განყოფილება, ლაბორატორია #55,
ჯგუფის უფროსი.
• 1978-1988 წწ. სოხუმის
ფიზიკა-ტექნიკის ინსტიტუტი, 50-ე განყოფილება, ლაბორატორია #55,
უმცროსი მეცნიერ-თანამშრომელი.
• 1975-1978 წწ. სოხუმის
ფიზიკა-ტექნიკის ინსტიტუტი, 50-ე განყოფილება, ლაბორატორია #55.
ინჟინერი.
შერჩეული პუბლიკაციები:
1. A.Guldamashvili, Yu. Nardaya,
Ts. Nebieridze, E. Sanaia, A. Sichinava, M. Kadaria. Radiation
hardening of molybdenum by argon ion implantation. Journal of
Materials Science & Engineering: A. 2017
2. A.Guldamashvili, Yu. Nardaya,
Ts. Nebieridze, E. Sanaia, A. Sichinava, M. Kadaria Mechanical
Properties of Tungsten Implanted with. Boron and Carbon Ions.
Journal of Materials Science & Engineering: A. 2017, V.7,
(3-4).
3. A.Guldamashvili, Yu.Nardaya,
Ts. Nebieridze, E.Sanaia, A. Sichinava , M. Kadaria.
Mechanical Properties of Tungsten Implanted with Boron and
Carbon Ions. Materials Science and Engineering: A.&B Structural
Materials: Properties, Microstructure and Processing, 2017. No.
JMSE 20170307-1. 2017.
4. A.Sichinava, G.Bokuchava, N.
Gapishvili, G. Chubinidze, G.Archuadze.“Influence of irradiation on
mechanical properties of Si-Ge alloys”. Physica Status Solidi
(c) Vol. 14, 7, 1/00094 , 2017
5. A.Guldamashvili, Yu. Nardaya,
Ts. Nebieridze, E. Sanaia, A. Sichinava, M. Kadaria. Hardened and
Wear Resistant Tungsten for Products with Increased operational
Properties. Georgian Chemical Journal. 16 (1) 2016.
6. I.Kurashvili, G.Darsavelidze,
G.Bokuchava, A.Sichinava, I.Tabatadze. Influence of Boron Doping
and Thermal Treatment on Internal Friction of Monocrystalline
Si1-xGex(x≤0,02) Alloys. International
Scholarly and Scientific Research & Innovation 10(7) (2016).
7. I. Kurashvili, A. Sichinava,
G. Bokuchava, G. Darsavelidze. Physical-Mechanical Characteristics
of Monocrystalline Si1-xGex (x≤0,02)
Solid Solutions. International Journal of Mathematical,
Computational, Physical, Electrical and Computer Engineering V.9,
No.7, (2015).
8. A.Guldamashvili, G. Bokuchava,
N.Kutsia, Yu.Nardaya , Ts.Nebieridze, A. Sichinava . Ion-implanted
Nanosized Metals with Improved Surface layer Mechanical Parameters
. 3rd International Conference “Nanotechnologies, Tbilisi,Technical
University. 2014, p. 47-48.
9. A. Guldamashvili, G.
Bokuchava, Yu.Nardaya, T. Nebieridze, A. Sichinava. Ion-Implanted
Semiconductor Neutron Sensor (IISNS). International Conference.
Nuclear Radiation Nanosensors and Nanosensors Systems. Program &
Abstracts. ( 2014 Tbilisi, Georgia). Tbilisi, Georgian Technical
University. 2014, p. 122-125
10. I. Kurashvili, E.Sanaia,
G.Darsavelidze, A.Sichinava, I.Tabatadze, V.Kuchukhidze.
Physical-mechanical properties of germanium doped monocrystalline
silicon. Journal of Materials Science and Engineering A3, 2013,
(10) p. 698-703.
11. B. Gorgiladze, R.
Vardiashvili, A. Sichinava. “ Concept of chemical surface and
vacancy-mediated exoemission”. Journal of Thermal Analysis and
Calorimetry, Shpringer, 2012, V.110, №1, p. 59-63.
12. G.Bokuchava, A.Guldamashvili,
V.Gverdtsiteli, G.Darsavelidze, T.Nebieridze, A.Sichinava.
Determination of the Laws and Mechanisms of degradation of
Thermoelectric Properties of Silicon-Germanium Alloys during
Irradiation in Reactor. Bulletin of Georgian National Academy of
Sciences. 2009, v.3, #3, pp.65-68
13. D.Armor, B.Gorgiladze,
G.Meskhi, A.Sichinava. Emission of multi-charged and cluster ions.
Book of reports of XVII International conference Ion-surface
interactions ISI-2005. Vol. 1. ISBN 5-7035-1560-2.
http://inisdb.iaea.org/?nRN=38067473
საერთაშორისო სამეცნიერო ფორუმებში (კონფერენციებში) მონაწილეობა:
• MARQUIS INTERNATIONAL
SYMPOSIUM. 3rd International Symposium on New and Advanced
Materials and Technologies in Energy, Environment and Sustainable
Development. Radiation Hardening of Molybdenum by
argons ion implantation. Cancun, Mexico. 2017.
• Gettering and Defect
Engineering in Semiconductor Technology GADEST 2017
XVIIth International Biannual Meeting. Ion Implanted Silicon
Diode for Neutron Detection. Lopota Resort, Georgia. 2017.
• 18th International Conference
on Materials Engineering and Technology. Influence of Boron Doping
and Thermal Treatment on Internal Friction of Monocrystalline
Si1-xGex(x≤0,02) Alloys. Stockholm, Sweden.
2016.
• 4th International Conference
“Nanotechnologies” Nano-2016. MODIFICATION OF TUNGSTEN SURFACE BY
ION IMPLANTATION TECHNOLOGY. Tbilisi, Georgia. 2016.
• 17th International Conference
on Engineering Materials and Applications. Physical-mechanical
characteristics of monocrystalline Si-Ge solid solutions. Paris,
France. 2015.
•International Conference &
Exhibition on Advanced & Nano Materials. Influence of Real Surface
on Physical-Mechanical Properties of β-rhombohedral Boron. Ottawa,
Canada. 2015.
• International conference
Advanced Materials and Technologies (ICAMT 2015).
Investigation of photoelectric sensitivity spectra in the near
infrared radiation range of p-n structures formed on Si-Ge
substrates. Tbilisi, Georgia. 2015.
• International
Conference:Nuclear Radiation Nanosensors and Nanosensors Systems.
Ion-Implanted Semiconductor Neutron Sensor (IISNS). Tbilisi,
Georgia. 2014.
• Advanced Materials World
Congress (AMWC 2013). Physical-mechanical properties of
germanium-doped monocrystaline silicon. Izmir, Turkey, 2013.
• 16th International
meeting "Ordering in minerals and alloys“. Influence of
Germanium on Physical-Mechanical Properties of
Si1-xGex. Rostov-on-Don-Tuapse, Russia,
2013.
• XIX International Conference on
Physics of Radiation Phenomena and Radiation Material Science.
Influence of High Temperature Annealing on Electro-Physical and
Mechanical Characteristics of Monocrystalline
Si1-xGex(x≤0,03). Alushta, Ukraine,
2010.
სამეცნიერო საგრანტო პროექტებში მონაწილეობა :
•
6212/MTCU/34/6-480/15 Graphene structure
containing hybrid ceramic composites based on alumina.
სამეცნიერო-ტექნოლოგიური ცენტრი უკრაინაში STCU, შოთა რუსთაველის
ეროვნული სამეცნიერო ფონდი SRNSF. 2016-2018. (ძირითადი
პერსონალი).
• 216902
ნახევარგამტარული იონიმპლანტაციური ნეიტრონების დეტექტორი ბირთვული
უსაფრთხოებისათვის. შოთა რუსთაველის ეროვნული სამეცნიერო ფონდი SRNSF.
2016-2018. (პროექტის კოორდინატორი).
• Graphene 3D. The EU
Framework Program for Research and Innovation №734164
Horizon2020 Marie Składowska-Curie Research and Innovation
Staff Exchange. 2017-2020. (მკვლევარი).
•
AR/167/3-121/14. გაუმჯობესებული მექანიკური
პარამეტრების იონიმპლანტაციური მასალების შექმნა გაზრდილი
ექსპლოატაციური მახასიათებლების ნაკეთობათა წარმოებისათვის. შოთა
რუსთაველის ეროვნული სამეცნიერო ფონდი SRNSF. 2015-2017. (ძირითადი
პერსონალი).
• Р466 STCU
რადიაციულად მოდიფიცირებული იონური იმპლანტირებული მასალები.
მეცნიერების და ტექნოლოგიების ცენტრი უკრაინაში (STCU) და აშშ-ს
ენერგეტიკის დეპარტამენტი (DOE). 2012-2014. (ექსპერიმენტული
კვლევა)
•
GNSF/ST08/7-476. იონიმპლანტირებული ახალი მასალები
მიკრო- და ნანოტექნოლოგიებისთვის. საქართველოს ეროვნული სამეცნიერო
ფონდი (GNSF). 2008-2010. (მკვლევარი).