ვლადიმერ კუჭუხიძე

დაბადების თარიღი: 1951.09.28

ტელეფონი:
577392788
ელ-ფოსტა: vladkuchukhidze@gmail.com; v.kuchukhidze@sipt.org.ge

განათლება:
უმაღლესი
• 1988: ტექნიკურ მეცნიერებათა კანდიდატი
• 1968-1973:  ივანე ჯავახიშვილის სახელობის თბილისის სახელმწიფო უნივერისტეტი,
ზუსტ და საბუნებისმეტყველო მეცნიერებათა ფაკულტეტი, სპეციალობა ბირთვული ფიზიკა.

სამეც. / აკად. ხარისხი:
ტექნიკურ მეცნიერებათა კანდიდატი

თანამდებობა: დირექტორის მოადგილე

სამუშო გამოცდილება:
• 2011 წლიდან - დღემდე: სსიპ სოხუმის ილია ვეკუას ფიზიკა-ტექნიკის ინსტიტუტი,  დირექტორის მოადგილე.
• 1988 – 2011: სსიპ სოხუმის ილია ვეკუას ფიზიკა-ტექნიკის ინსტიტუტი, უფროსი მეცნიერ-თანამშრომელი.
• 1980-1988: სსიპ სოხუმის ილია ვეკუას ფიზიკა-ტექნიკის ინსტიტუტი, ლაბ.№51 მეცნიერ-თანამშრომელი
• 1977-1980: სსიპ სოხუმის ილია ვეკუას ფიზიკა-ტექნიკის ინსტიტუტი, ლაბ.№51 უმცროსი მეცნიერ-თანამშრომელი
• 1974-1977: სსიპ სოხუმის ილია ვეკუას ფიზიკა-ტექნიკის ინსტიტუტი, ლაბ.№51 ინჟინერი
• 1973-1974: სსიპ სოხუმის ილია ვეკუას ფიზიკა-ტექნიკის ინსტიტუტი, ლაბ.№51 უფროსი ლაბორანტი.

შერჩეული  პუბლიკაციები:
1. Z. Wardosanidze, V. Kuchukhidze, G. Archuadze, A. InaliShvili. Reconstruction of a Contrast Inverted Image by Diffraction on the Sequentially Recorded Holographic Grating and of the Phase Image. American Journal of Materials Research 5(1), 2018, p.1-4.
2. I.Tabatadze, D.Mkheidze, V.Kuchukhidze, M.Kadaria, G.Aroshvili, Thermal expansion of polycrystalline Si1-xGex(x≤0.02) alloys in the 20-800°C temperature interval. Scientific and Technical Journal, Energy, 2(82), 2017. pp.57-61.
3. Z.  Wardosanidze, T.  Kuchukhidze, G. Bokuchava, I.  Kurashvili, V. Kuchukhidze. Preferential Orientation of Dye Molecules Detected at the Total Internal Reflection in the Unexposed Azo-dye-containing Gelatin Layer. Journal of Materials Sciences and Applications. 3 (2) ,2017, p. 35-40.
4. Z. Wardosanidze,  T. Sulaberidze, G. Bokuchava,  V. Kuchukhidze, D. Berishvili. For holographic raster concentrator photodiode matrix . Proceedings of International Conference Advanced materials and Technology, 2015, 139-142. “Universali”, Tbilisi, Georgia.
5. K.Barbakadze,M.Barbakadze,M.Biliseishvili,G.Bokuchava,Z.Isakadze,A.Kutsia,V.Kuchukhidze,M.Rekhviashvili. The thermoelectric battery based on alloys Si0,68Ge0,32 n- and p-type. Georgia Chemical Journal,T.14,2014, N2
6. R. Chedia, T. Kuchukhidze, N. Jalagonia, T. Archuadze, E. Sanaia, V. Kuchukhidze. Simultaneous Synthesis and Consolidation of Superconductor Magnesium Diboride. Georgian Chemical Journal, (14), 1, 2014, pp. 73-79.
7. I. Kurashvili, E. Sanaia, G. Darsavelidze, G. Bokuchava, A. Sichinava, I. Tabatadze, V. Kuchukhidze. Physical-Mechanical Properties of Germanium Doped Monocrystalline Silicon. Journal of Materials Science and Engineering A3(10),2013, pp.698-703
8. I.Kurashvili, M.Darchiashvili, V.Kuchukhidze, G.Darsavelidze. Anelastic properties of the monocrystalline silicon doped with boron. Georgian Chemical Journal. vol.9.no.6. 2009, pp.514-516
9. F.Basaria, M.Barbakadze, V.Kuchukhidze, A.Kutsia, M.Rekhviashvili, I.Tabatadze. Hightemperature electro-insulating material for connection branches of thermo-battery based on SiGe alloys. Georgia Chemical Journal, volume N3, 2009, pp.292-296
10. T.Sordia, M.Mumladze,V.Kuchukhidze. Screw Cam for Deposition of Powdery Materials by Plazmic Method. orgian Engineering News ,#4, 2007, pp. 107-109
11.Antipov V, Zaichkovsky V, Kalandarishvili A, Kuchukhidze V., Sordia T, Shartava Sh., Kirichhenko G. A study of the means of monitoring the operational tightness of the liquid metal circuit of nuclear power plants. Atomic Energy. 1993.
12. Kalandarashvili A., Kuchukhidze V., Sordia T., Shartava Sh. Alkaline metal detectors based on graphite for nuclear power plants. Atomic Energy. 1992.
13. Zhvania I., Kalandarashvili A., Kuchukhidze V., Maximov M. On the issue of controlling gas evolution using a gas-regulated heat pipe. Engineering Physical Journal . 1898.
14. Gvertsiteli I., Kalandarishvili A., Kuchukhidze V. Device for the Continuous Control of Burnup of Nuclear Fuel. Atomic Energy, 1983.

საერთაშორისო სამეცნიერო ფორუმებში (კონფერენციებში) მონაწილეობა:
1. XVII International Conference on Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology. Influence of Germanium on the thermal expansion of polycrystalline Si1-xGex (x< 0.02) alloys in the 20-800°C temperature interval. Lopota, Georgia, 2017.
2. International Conference „Advanced Materials and Technologies.  (ICAMT 2015)“. For holographic raster concentrator photodiode matrix. Tbilisi, Georgia, 2015.
3. Advanced Materials World Congress 2013. Physical- mechanical properties of germanium doped monocrystalline silicon. Turkey, Izmir, Cesme, 2013.

სამეცნიერო საგრანტო პროექტებში მონაწილეობა:
AR/167/3-121/14  “გაუმჯობესებული მექანიკური პარამეტრების იონიმპლანტაციური მასალების შექმნა გაზრდილი ექსპლოატაციური მახასიათებლების ნაკეთობათა წარმოებისათვის”. შოთა რუსთაველის ეროვნული  სამეცნიერო ფონდი,  2015-2016.
P466. ”რადიაციულად მოდიფიცირებული იონური იმპლანტირებული მასალები”. სამეცნიერო-ტექნოლოგიური ცენტრი უკრაინაში (STCU)  და აშშ-ს ენერგეტიკის დეპარტამენტი (DOE), 2012-2014.
P467 “SiGe ფოტოგარდამქმნელების და ოპტოელექტრონული ხელსაწყოების დამუშავება“. სამეცნიერო-ტექნოლოგიური ცენტრი უკრაინაში (STCU)  და აშშ-ს ენერგეტიკის დეპარტამენტი (DOE), 2011-2012.
CIS/10/0006/CNTR. “ბაზალტის ფიბრისა და ფიბრით გაძლიერებული კომპოზიციური მასალების წარმოება”. დახურული ბირთვული ცენტრების პროგრამა, 2009-2011.
CIS/10/0004/CNTR. “სამრეწველო ტექნოლოგიების დამუშავება და ბიმეტალურ ნაკეთობათა წარმოება აფეთქებით”. დახურული ბირთვული ცენტრების პროგრამა, 2009-2011.
G-4655/354 “მაღალტემპერატურული ჰელიოთერმოელექტროგენერატორის დამუშავება და საცდელი ნიმუშის შექმნა”. STCU/შოთა რუსთაველის ეროვნული  სამეცნიერო ფონდი, 2008-2010.
Gr-3997. “Si-Ge შენადნობის საფუძველზე ნახევარგამტარი მოცულობითი კრისტალებისა და ეპიტაქსიური სტრუქტურების დამუშავება და კვლევა”. სამეცნიერო-ტექნოლოგიური ცენტრი უკრაინაში, 2008-2010.
G-827, ულტრა მაღალი სისუფთავის ქსენონის წარმოების პროცესის თეორიული და ექსპერიმენტალური შესწავლა დაბალ ტემპერატურული რექტიფიკაციის მეთოდით. (ISTC), 2002-2004.

პატენტები:
• ლაზერული იმპულსების სიმძლავრის გაზრდის ხერხი და მოწყობილობა. საქართველოს ინტელექტუალური საკუთრების ეროვნული ცენტრი - საქპატენტი # 14805/1, 2018.
• გიგანტური ლაზერული იმპულსების მიღების ხერხი და მოწყობილობა. #AP 2015 13210 A. 2015.
• მრავალფენიანი დიელექტრიკული ინტერფერენციული ლაზერული სარკე“. #AP 2015 13701 A.
• მეტალური ორთქლის კონცენტრაციის განსაზღვრის ხელსაწყო აიროვან გარემოში. რუსპატენტი. # 1667176, 2016.
• ქსენონ-კრიპტონის ნარევიდან განსაკუთრებული სისუფთავის მიღების „საქპატენტი“  # 9653, 2005.
• მეტალური ორთქლის კონცენტრაციის განსაზღვრის ხელსაწყო აიროვან გარემოში. სსრკ-ს გამოგონებათა სახელმწიფო კომიტეტი # 1667176, 1991
• ტუტე მეტალების ბინარული  ნარევის გაყოფის ხერხი, სსრკ-ს გამოგონებათა სახელმწიფო კომიტეტი  #1417482, 1988.
• ნეიტრონების ნაკადის ინტეგრატორი, სსრკ-ს გამოგონებათა სახელმწიფო კომიტეტი #1114182, 1984.
• ბირთვული საწვავის წვის განსაზღვრის მოწყობილობა, სსრკ-ს გამოგონებათა სახელმწიფო კომიტეტი #936733, 1982.
• ბირთვული საწვავის გამოწვის კონტროლის ხერხი, სსრკ-ს გამოგონებათა სახელმწიფო კომიტეტი  #828889, 1981.
• თბოგამომყოფი ელემენტი.  სსრკ-ს გამოგონებათა სახელმწიფო კომიტეტი #816302,21/10, 1980.
• ნეიტრონების ნაკადის ცვლილების მოწყობილობა.  სსრკ-ს გამოგონებათა სახელმწიფო კომიტეტი #658993, 1978.
ბეჭდვა