იური ნარდაია

დაბადების თარიღი: 1951.02.18

ელ-ფოსტა: nardaya@gmail.com

განათლება:

• 2005 წ. საქართველოს ტექნიკური უნივერსიტეტი. დოქტორი

• 1971-1976წწ. ივ. ჯავახიშვილის სახელობის თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტი. რადიოფიზიკა

სამეც. / აკად. ხარისხი: ფიზიკა-მათემატიკის მეცნიერებათა დოქტორი.

თანამდებობა: მთავარი მეცნიერ-თანამშრომელი

სამუშო გამოცდილება:

• 2016 წლიდან დღემდე. სოხუმის ილია ვეკუას ფიზიკა-ტექნიკის ინსტიტუტი, ნახევარგამტარული და რადიაციული ტექნოლოგიების ლაბორატორია, მთავარი მეცნიერ-თანამშრომელი.

• 2005-2016 წწ. სოხუმის ილია ვეკუას ფიზიკა-ტექნიკის ინსტიტუტი, რადიაციული მასალათმცოდნეობისა და ტექნოლოგიების სამეცნიერო განყოფილება, უფროსი მეცნიერ-თანამშრომელი.

• 2005-2010წწ. სოხუმის ილია ვეკუას ფიზიკა-ტექნიკის ინსტიტუტი,  დირექტორის მოადგილე

• 1993-2005წწ. სოხუმის ილია ვეკუას სახელობის ფიზიკა-ტექნიკის ინსტიტუტი. არატრადიციული ენერგეტიკის და საერთაშორისო სამეცნიერო-ტექნიკური ცენტრის განყოფილება, წამყვანი მეცნიერ-თანამშრომელი

• 1988-1993წწ. სოხუმის ილია ვეკუას სახელობის ფიზიკა-ტექნიკის ინსტიტუტი. 50-ე განყოფილების 52-ე ლაბორატორია, უფროსის მოადგილე

• 1982-1988წწ. სოხუმის ილია ვეკუას სახელობის ფიზიკა-ტექნიკის ინსტიტუტი, 50-ე განყოფილების 52-ე ლაბორატორია, მეცნიერ თანამშრომელი

• 1979-1982წწ. სოხუმის ილია ვეკუას სახელობის ფიზიკა-ტექნიკის ინსტიტუტი, 50-ე განყოფილების 52-ე ლაბორატორია, უმცროსი მეცნიერ თანამშრომელი

• 1976-1979წწ. სოხუმის ფიზიკა-ტექნიკის ინსტიტუტი, 50-ე განყოფილების 52-ე ლაბორატორია, ინჟინერი

შერჩეული  პუბლიკაციები:

1. A.Guldamashvili, Yu. Nardaya, Ts. Nebieridze, E. Sanaia, A. Sichinava, M. Kadaria. Radiation hardening of molybdenum  by argon ion implantation. Journal of Materials Science &  Engineering: A. 2017

2. A.Guldamashvili, Yu. Nardaya, Ts. Nebieridze, E. Sanaia, A. Sichinava, M. Kadaria Mechanical Properties of Tungsten Implanted with. Boron and Carbon Ions. Journal of Materials Science &  Engineering: A. 2017, V.7, (3-4).

3. A.Guldamashvili, Yu.Nardaya, Ts. Nebieridze, E.Sanaia, A. Sichinava , M. Kadaria. Mechanical  Properties of Tungsten Implanted with Boron and Carbon Ions. Materials Science and Engineering: A.&B Structural Materials: Properties, Microstructure and Processing, 2017. No. JMSE 20170307-1. 2017.

4. ა.გულდამაშვილი,  ი. ნარდაია, ც. ნებიერიძე,  ე. სანაია, ა. სიჭინავა,  მ. ქადარია. განმტკიცებული და ცვეთამედეგი იონიმპლანტაციური ვოლფრამი გაზრდილი ექსპლოატაციური თვისებების ნაკეთობებისათის. საქართველოს ქიმიური ჟურნალი. 2016, ტომი.16, #1.

5. ა.გულდამაშვილი,  ი. ნარდაია, ც. ნებიერიძე,  ე. სანაია, ა. სიჭინავა,  მ. ქადარია. ვოლფრამის ზედაპირების მოდიფიკაცია იონური იმპლანტაციის ტექნოლოგიით. მე-4 საერთაშორისო კონფერენცია “ნანოტექნოლოგიები” ნანო – 2016, შრომები. 2016.

6. A.Guldamashvili,  Yu.Nardaya, Ts. Nebieridze, E Sanaia, A. Sichinava, M. Kadaria. Mechanical Properties of Tungsten Implanted with Boron and Carbon Ions. Journal of Materials Science and Engineering A 7 (3-4) (2017).

7. A.Guldamashvili,  Yu.Nardaya, Ts. Nebieridze, E Sanaia, A. Sichinava, M. Kadaria. Radiation Hardening of  Molybdenum by   argon ion implantation. MARQUIS INTERNATIONAL SYMPOSIUM. 3rd International Symposium on New and Advanced Materials and Technologies in Energy, Environment and Sustainable Development. Cancun, Mexico.  2017.

8. A.Guldamashvili, G.Bokuchava, Yu.Nardaya, Ts.Nebieridze, A.Sichinava Ion-Implanted Semiconductor Neutron Sensor(IISNS) INTERNATIONAL CONFERENCE “TBILISI- SPRING-2014 ”Radiation Nanosensors and Nanosensory Systems",2014, p.122. Georgian Technical University,Tbilis,Georgia

9. A.Guldamashvili, G.Bokuchava, N.Kutsia, Yu.Nardaya, Ts.Nebieridze, A. Sichinava. Ion-implanted Nanosized Metals with Improved Surface layer Mechanical Parameters. 3rd International Conference “Nanotechnologies”. Abstracts. Tbilisi, Technical University. 2014, p. 47-48.

10. A. Guldamashvili, G.Bokuchava, Z. Salukvadze, Ts. Nebieridze, A. Sichinava.  Boron carbide synthesis by boron implantation with carbon ions. Proceedings of XX International Conference on Physics of Radiation Phenomena and Radiation Material Science, 2012, pp.72-74

11. ბ.ზიკოვი, ი.ნარდაია. ცეზიუმი 550-1300 С დაჟანგული ვოლფრამით დაფარული ნიობიუმ ცირკონიუმის შენადნობზე საქართველოს საინჟინრო სიახლენი, 2007, №4,  გვ. 39-44

12. B. Zykov, Yu. Nardaya, G. Bokuchava. Heating of the Cesium Film on the Tungsten Coating of the Niobium-Circonium at 500⁰C.  Georgian Engineering News. 2005. №3, pp. 102-108

 

საერთაშორისო სამეცნიერო ფორუმებში (კონფერენციებში) მონაწილეობა:

• 2017 - Sustainable Industrial Processing Summit & Exhibition.  Radiation hardening of molybdenum  by argon ion implantation Cancun, Mexico, 2017.

• International Conference “Advanced Materials and Technologies”.  ICAMT2015. Influence of Argon Ion Irradiation on Mechanical Properties of Monocrystalline Si-Ge Alloys Tbilisi, Georgia. 2015.

• International conference “Advanced Materials and Technologies”, ICAMT2015. Surface Modification of AISI 310 and 440C Steels by Ion Implantation. Tbilisi, Georgia. 2015.

• International Conference "Tbilisi-Spring-2014". Nuclear Radiation Nanosensors and Nanosensory Systems. Ion-Implanted Semiconductor Neutron Sensor (IISNS) . Georgian Technical University, Tbilisi, Georgia, 2014.

• 3rd International   Conference: ”Nanotechnologies”.  Ion-Implanted Nanosize Structural Metals With Improved Surface Mechanical Parameters. Tbilisi, Georgia. 2014.

• XX International Conference on Physics of Radiation Phenomena & Radiation on Material Science. Boron Carbide Synthesis by Boron Implantation with Carbon Ions. Alushta, Russia. 2012.

 

სამეცნიერო საგრანტო პროექტებში მონაწილეობა :

• 216902 ნახევარგამტარული იონიმპლანტაციური ნეიტრონების დეტექტორი ბირთვული უსაფრთხოებისათვის. შოთა რუსთაველის ეროვნული სამეცნიერო ფონდი (SRNSF). 2016-2018. (ძირითადი პერსონალი).

• AR/167/3-121/14. გაუმჯობესებული მექანიკური პარამეტრების იონიმპლანტაციური მასალების შექმნა გაზრდილი ექსპლოატაციური მახასიათებლების ნაკეთობათა წარმოებისათვის. შოთა რუსთაველის ეროვნული სამეცნიერო ფონდი (SRNSF). 2015-2017. (ძირითადი პერსონალი).

• Р466 რადიაციულად მოდიფიცირებული იონური იმპლანტირებული მასალები. მეცნიერების და ტექნოლოგიების ცენტრი უკრაინაში (STCU)  და აშშ-ს ენერგეტიკის დეპარტამენტი (DOE). 2012-2014წწ. (ტექნოლოგიის განვითარება).

• GNSF/STO8/7-476 იონიმპლანტირებული ახალი მასალები მიკრო და ნანო ტექნოლოგიებისათვის. საქართველოს ეროვნული სამეცნიერო ფონდი (GNSF). 2008-2010. (მკვლევარი)

• Gr-133(j). Analytical and Software representation of two-stage Algorithm of Guaranteed  Identification  for plants simulated by differential equations. მეცნიერების და ტექნოლოგიების ცენტრი უკრაინაში (STCU) . 2005-2007. (მკვლევარი).

• G-762 ნეიტრონული გამოსხივების წყაროების მაღალი შთამნთქმნელი თვისებების მქონე მყარი და ელასტიური სტრუქტურული მასალების მიღების ტექნოლოგიების დამუშავება. საერთაშორისო სამეცნიერო ტექნიკური ცენტრი (ISTC). 2003-2006. (წამყვანი ექსპერტი)

• Gr-20(j) ეფექტური და რადიაციამედეგი თერმოელექტრული ელემენტების დამუშავება ბორის კარბიდისა (B₄C) და სილიციუმ-გერმანიუმის (SiGe) შენადნობების ბაზაზე. 2003-2005წწ. (კონსტრუქტორი)

• G-697. საქართველოს ჰელიოენერგეტიკული რესურსების შესწავლა და მზის ენერგიის კადასტრის შექმნა. საერთაშორისო სამეცნიერო ტექნიკური ცენტრი (ISTC). 2002-2003. (ექსპერტი)

• Gr-75(j). უნივერსალური პროგრამული მოდულის შექმნა სხეულებში დაზიანებათა დაგროვების კინეტიკის შესწავლის მიზნით. მეცნიერების და ტექნოლოგიების ცენტრი უკრაინაში (STCU). 2004. (წამყვანი ექსპერტი)

• G-3997 Si-Ge შენადნობის საფუძველზე ნახევარგამტარი მოცულობითი კრისტალებისა და ეპიტაქსიური სტრუქტურების დამუშავება და კვლევა. მეცნიერების და ტექნოლოგიების ცენტრი უკრაინაში (STCU). 2008-2010. (მკვლევარი).