ია ყურაშვილი

დაბადების თარიღი: 1980-02-28

ელ-ფოსტა: iakurashvili80@gmail.com;  i.kurashvili@sipt.org.ge

განათლება: უმაღლესი

• 1997-2001წწ. საქართველოს ტექნიკური უნივერსიტეტი . სპეციალობა: მყარი სხეულების ფიზიკა .

• 2002-2003წწ. საქართველოს ტექნიკური უნივერსიტეტი . მაგისტრატურა . სპეციალობა: მყარი სხეულების ფიზიკა

• 2004-2006წწ. საქართველოს ტექნიკური უნივერსიტეტი . ასპირანტურა. სპეციალობა: ნახევარგამტარების  ფიზიკა

სამეც. / აკად. ხარისხი: ფიზიკის დოქტორის აკადემიური ხარისხი

სამუშო გამოცდილება:

• 2007-2009წწ.  სოხუმის ი.ვეკუას  ფიზიკა-ტექნიკის ინსტიტუტი. ნახევარგამტარული მასალათმცოდნეობის ლაბორატორია. მეცნიერ-თანამშრომელი

• 2009-2015წწ.  სოხუმის ი.ვეკუას  ფიზიკა-ტექნიკის ინსტიტუტი. ნახევარგამტარული მასალათმცოდნეობის ლაბორატორია. უფროსი მეცნიერ-თანამშრომელი

• 2015წ-დან -დღემდე სოხუმის ი.ვეკუას  ფიზიკა-ტექნიკის ინსტიტუტი. საინფორმაციო უზრუნველყოფისა და პროექტების მონიტორინგის სამსახურის უფროსი

შერჩეული  პუბლიკაციები:

1. I.Kurashvili, G.Darsavelidze,  G.Bokuchava,  I.Tabatadze, G.Chubinidze. „Physical-Mechanical Properties of Monocrystalline Si_1-xGe_x(x≤0.02)  Alloys“. International Journal of Mechanical And Production Engineering, ISSN(p): 2320-2092, ISSN(e): 2321-2071. Vol. 6, #1, 2018

2.I. Kurashvili, G. Darsavelidze, G.Bokuchava, G. Chubinidze, I. Tabatadze, G. Archuadze. Influence of Radiation Defects on Internal Friction Spectra of SiGe Crystals. Bulleting of the Georgian National Academy of Sciences. vol.12, #3, 2018. p. 57-61.

3. I.Kurashvili, G.Darsavelidze. Highamplitude internal friction in monocrystalline germanium-doped silicon. Physica Status Solidi (c) Vol. 14, # 7, 2017.

4. I.Kurashvili, G.Darsavelidze, A.Sichinava, I.Tabatadze „Influence of Boron Doping and Thermal Treatment on Internal Friction of Monocrystalline    Si_1-xGe_x(x≤0,02) Alloys“. International Scholarly and Scientific Research & Innovation 10(7) 2016. p.796-799

5. I.Kurashvili, A.Sichinava, G.Bokuchava, G.Darsavelidze. “Physical-mechanical characteristics of monocrystalline Si-Ge solid solutions“. International Scholarly and Scientific Research & Innovation. 2015. Vol. 9, #7.

6. I.Kurashvili, G.Darsavelidze.“Mechanical relaxation processes in monocrystalline Si-Ge alloys” Proceedings of International conference on “Advanced Materials and Technology” pp. 83-85. 2015. №1. Tbilisi, Universali.

7. I.Kurashvili, G.Darsavelidze, G.Bokuchava, I.Tabatadze, G.Chubinidze. “Influence of germanium and boron doping on structural and physical-mechanical properties of monocrystalline silicon“. Scientific Publications: Materials, Methods and Technologies. 2014, vol: 8, p. 298-302

8. I.Kurashvili, E.Sanaia, G.Darsavelidze, A.Sichinava, I.Tabatadze, V.Kuchukhidze. “Physical-mechanical properties of germanium doped monocrystalline silicon”. Journal of Materials Science and Engineering A3 2013, (10) p. 698-703

9. G.Darsavelidze, G.Bokuchava, G.Chubinidze, I.Kurashvili, G.Archuadze, B.Shirokov. Dynamic mechanical properties of  Si-Ge  monocrystalline systems. Proceedings of XX international conference on physics of radiation phenomena and radiation material science. Alushta,  2012, p.279-280.

10. G.Chubinidze, I.Kurashvili, M.Darchiashvili, Z.Chachkhiani, G.Darsavelidze. Physical-mechanical properties of monocrystllaine Ge:B alloys.  Proceedings of the 15th international meeting "ordering in minerals and alloys". 2012, Rostov, Russia, p.278-282

11. E.Sanaia, I.Kurashvili, M.Darchiashvili, G.Darsavelidze. Inelastic properties of YBaCuo superconductor ceramics.  Journals of Materials Science and Engineering, 2011, vol. 15, #.6,p.102-105

12. G.Archuadze, G.Chubinidze, I.Kurashvili, G.Bokuchava, G.Darsavelidze. Inelastic properties of monocrystalline  Ge-Si alloys. Georgian International Journal of Science and Technology, Nova Publishers. 2011, vol.3, #4. pp.365-369.

საერთაშორისო სამეცნიერო ფორუმებში (კონფერენციებში) მონაწილეობა:

• III International Conference Inorganic Materials Science Modern Technologies and Methods. Influence of Lattice defects on the Inelastic Properties of SiGe Alloys. Tbilisi, Georgia, 2018.

• XI International Conference on Science, Technology, Engineering and Management. Physical-Mechanical Properties of Monocrystalline Si_1-xGe_x(x≤0.02)  Alloys. Turkey, Istanbul, 2017.

• GADEST  2017, Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology. Highamplitude internal friction in monocrystalline germanium-doped silicon. Georgia, Lopota, 2017.

• 18th International Conference on Materials Engineering and Technology. Influence of Boron Doping and Thermal Treatment on Internal Friction of Monocrystalline    Si_1-xGe_x(x≤0,02) Alloys. Sweden, Stockholm, 2016.

• 17th International Conference on Engineering Materials and Application. Physical-mechanical characteristics of monocrystalline Si-Ge solid solutions. France, Paris, 2015.

• 12th  International Conference on the Mechanical Behavior of Materials.“ Internal Friction and Shear Modulus Temperature Dependence of 9%Cr Ferritic Steel P92 in 25 ÷750°C Temperature Range“. Karlsruhe, Germany, 2015.

• 18th International Symposium on Boron, Borides and Related Materials (ISBB 2014) Influence of real structure on physical-mechanical properties of polycrystalline  β-rhombohedral boron.  Hawaii, USA, 2014.

•  16th  International Conference "Materials, Methods and Technology" Influence of germanium and boron doping on structural and physical-mechanical properties of monocrystalline silicon. Bulgaria, 2014

• 2014 MRS SPRING MEETING & EXHIBIT, A Meeting of the Materials Research Society. Synthesis of Massive MgB₂ Superconductors by Using Hot Pressing Method, San-Francisco, USA, 2014.

• Advanced Materials World Congress (AMWC 2013). Physical-mechanical properties of germanium doped monocrystalline silicon. Izmir, Turkey, 2013

• XX International Conference on physics of radiation phenomena and radiation material science Dynamical mechanical characteristics of monocrystals of Si-Ge systems. Alushta, 2012.

• XV International Meeting "Ordering in minerals and alloys" Physical-mechanical properties of monocrystalline Ge:B. Russia, Rostov, 2012.

სამეცნიერო საგრანტო პროექტებში მონაწილეობა :

SRNSF FR 217562 “Si-Ge  მონოკრისტალების შინაგანი ხახუნის სპექტრებისა და მიკროსისალის თავისებურებანი” 2016-2019წწ.

GNSF- AR/325/6-480/12 „ადგილობრივი ნედლეულის ბაზაზე ულტრადისპერსული ალუმინის ოქსიდის მიღება და კორუნდის კერამიკული ნაკეთობების დამზადების ტექნოლოგიის დამუშავება“ 2013-2015წწ.

P467 „SiGe-ს ფუძეზე მოცულობითი მონოკრისტალებისა და ჰეტეროეპიტაქსიური სტრუქტურების დამუშავება ახალი ოპტოელექტრონული ხელსაწყოებისათვის“ (STCU)-2011-2013წწ.

STCU/GNSF #4996/540. სილიციუმ-გერმანიუმის ნანოსტრუქტურული შენადნობების მიღება აფეთქებით კოპაქტირების ტექნოლოგიით და მათ ბაზაზე მაღალეფექტური თერმოელექტრული ბატარეების შექმნა. 2009-2011წწ.

#3997 „Si-Ge შენადნობების ფუძეზე ნახევარგამტარი მოცულობითი კრისტალებისა და ეპიტაქსიური  სტრუქტურების დამუშავება და კვლევა (STCU) 2008-2010წწ.