გიორგი არჩუაძე

დაბადების თარიღი: 1984.07.20.
ელ-ფოსტა: gioarchv@gmail.com

განათლება:
უმაღლესი
• 2009-2012 წწ.:  საქართველოს ტექნიკური უნივერსიტეტი. დოქტორანტურა. სპეციალობა: ფიზიკა
• 2005-2007 წწ.: საქართველოს ტექნიკური უნივერსიტეტი. მაგისტრატურა. ფაკულტეტი: ინფორმატიკა და მართვის სისტემები. სპეციალობა: საინჟინრო ფიზიკა.
• 2001-2005 წწ.: საქართველოს ტექნიკური უნივერსიტეტი. ბაკალავრიატი. ფაკულტეტი: გამოყენებითი ფიზიკა. სპეციალობა: მიკროელექტრონიკა და ნახევარგამტარული ხელსაწყოები.

სამეც. / აკად. ხარისხი:
საინჟინრო ფიზიკის დოქტორის აკადემიური ხარისხი

თანამდებობა: რადიოფიზიკური და ელექტრონული სისტემების მოდელირებისა და სისტემატექნიკის განყოფილების უფროსი.

სამუშო გამოცდილება:
• 2017 წლიდან  დღემდე სოხუმის ილია ვეკუას ფიზიკა-ტექნიკის ინსტიტუტი, რადიოფიზიკური და ელექტრონული სისტემების მოდელირებისა და სისტემატექნიკის განყოფილება. განყოფილების უფროსი;
• 2008 -2017წწ.: სოხუმის ილია ვეკუას ფიზიკა-ტექნიკის ინსტიტუტი, რადიოფიზიკური და ელექტრონული სისტემების მოდელირებისა და სისტემატექნიკის განყოფილება. უფროსი მეცნიერ-თანამშრომელი;
• 2008 წლიდან-დღემდე: მაღალი სამედიცინო ტექნოლოგიების ცენტრი-საუნივერსიტეტო კლინიკა. რადიაციული ონკოლოგიის დეპარტამენტი. სამედიცინო ფიზიკოსთა ხელმძღვანელი;
• 2008 წწ.: FTG LLC. IT-განყოფილების ხელმძღვანელი;
• 2006-2008 წწ.: საქართველოს ა. ღვამიჩავას სახ. ონკოლოგიის ნაციონალური ცენტრი. სამედიცინო ფიზიკოსი;
• 2006-2005 წწ.: შპს “Megatron”. სამეცნიერო ტექნოლოგიური ჯგუფის ხელმძღვანელი;
• 2002-2006 წწ.: საქართველოს ტექნოკური უნივერსიტეტთან არსებული სტრუქტურული კვლევის რესპუბლიკური ცენტრი;
• 2000-2002 წწ.: FUJI ფოტოლაბორატორია. პროგრამული უზრუნველყოფის ოპერატორი.

შერჩეული  პუბლიკაციები:
1. A. Guldamashvili, G. Bokuchava, G. Archuadze, Yu. Nardaia, Ts. Nebieridze, A.Sichinava, R. Melkadze, N.Gapishvili. Development of Technological Conditions of Ion Implantation of Silicon by Boron for Ion Implanted Neutron Sensors. Bulletin, Georgian National Academy of Sciences, Vol. 12, No. 1, 2018;  ISSN- 0132-1447.
2. I. Kurashvili, G. Darsavelidze, G.Bokuchava, G. Chubinidze, I. Tabatadze, G. Archuadze. Influence of Radiation Defects on Internal Friction Spectra of SiGe Crystals. Bulleting of the Georgian National Academy of Sciences. vol.12, #3, 2018. p. 57-61.
3. A. Sichinava, G. Bokuchava, G. Chubinidze, N. Gapishvili, G. Archuadze.  Influence of Irradiation on mechanical properties of Si-Ge alloys. Phys. Stat. Sol. C14, No. 7 , 2017.
4. Influence of Argon Ion Irradiation on the Electrical Characteristics of Si-Ge Substrates Proceedings of International Conference on Advanced Materials and Technologies, Vol. 1 (2015): p.83-85
5. G.Darsavelidze, G.Bokuchava, G.Chubinidze, I.Kurashvili, G.Archuadze, B.Shirokov. Dynamic mechanical properties of  Si-Ge  monocrystalline systems. Proceedings of XX International Conference on Physics of Radiation Phenomena and Radiation Material Science. Alushta,  2012, p.279-280.
6. Archuadze G., Darchiashvili M., Sanaia E., Baratashvili I., Darsavelidze G. Amplitude Dependent Inelasticity in Undoped Polycrystalline Germanium. Bulletin of the Georgian National Academy of Sciences, Vol. 4, No. 3, 2010;  ISSN- 0132-1447
7. Г .Н. Арчуадзе, М.Д. Дарчиашвили, Н.В. Кобулашвили, А.А. Куция, Д.Т. Мхеидзе, М.Дж. Билисеишвили. Физико-Механические свойства монокристаллических сплавов Ge-Si. Georgian Chemical Journal, Vol 9 #6 2009. p. 511-513.
8. Janelidze A., Kurashvili I., Janelidze G., Esiava R., Darsavelidze G., Archuadze G. Electrophysical and Physical-mechanical Properties of Boron and Phosphorus Doped Monocrystalline Silicon. Georgian Academy of Education Sciences GTU, Application Appendix to the Journal “Newsletters” Academy of Education Sciences of Georgia, Works 9,2007, pp. 330-337.
9. Г .Н. Арчуадзе,Чубинидзе Г.Г., Сичинава А.В., Билисейшвили М.Д., Курашвили И.Р. Tермическое расширение и неупругие свойства монокристаллов Ge1-xSix (x0,02). Химический журнал Грузии, №3, (2011).
10. არჩუაძე გ. ჩუბინიძე გ. სიჭინავა ა. ქუთელია რ. ტაბატაძე ი. თერმული დამუშავებისა და გრეხითი დეფორმაციის გავლენა მონოკრისტალური Ge-Si შენადნობების ფიზიკურ-მექანიკურ თვისებებზე. სტუ. საერთაშორისო სამეცნიერო კონფერენციის “გამოყენებითი ფიზიკის აქტუალური საკითხები“ თეზისების კრებული, 2011.
11. არჩუაძე გ. ჩუბინიძე გ. სიჭინავა ა. ქუთელია რ. ტაბატაძე ი. თერმული დამუშავებისა და გრეხითი დეფორმაციის გავლენა მონოკრისტალური Ge-Si შენადნობების ფიზიკურ-მექანიკურ თვისებებზე. საერთაშორისო სამეცნიერო კონფერენციის მოხსენებათა კრებული “გამოყენებითი ფიზიკის აქტუალური საკითხები“ თბილისი, გამომცემლობა „ტექნიკური უნივერსიტეტი“. 2011.
12. არჩუაძე გ. მექანიკური რელაქსაციური პროცესები ბორით ლეგირებულ მონოკრისტალურ Ge0,99Si0,01 შენადნობებში. საქართველოს ქიმიური ჟურნალი. 2011, ტ.12, N4.
13. Archuadze G. Chubinidze G.G., Kurashvili I.R., Bokuchava G.V.,  Darsavelidze G.Sh. Inelastic Characteristics of Monocrystalline Ge-Si Alloys . Georgian International Journal of Science and Technology, Nova science publishers, Inc.New York. 2011. ISSN1939-5825 Volume 3, #4.
14. Д.Е. Канчавели, А.Б. Капанадзе, Г.А. Киладзе, Г.Н. Арчуадзе. ARIA-Новая система информационного обеспечения работы департамента радиационной онкологии. IV  Кoнгресс онкологов стран Южного Кавказа, 60-летие онкологической службы грузии. Материалы конгресса 2007, Тбилиси, Грузия. стр. 280-281.

საერთაშორისო სამეცნიერო ფორუმებში (კონფერენციებში) მონაწილეობა:
1. GADEST 2017- Ion Implanted Silicon Diode for Neutron Detection. Lopota. Georgia, 2017
2. International conference ADVANCED MATERIALS AND TECHNOLOGIES (ICAMT 2015). Influence of Ar irradiation on mechanical properties of monocrystalline Si-Ge alloys. Tbilisi, Georgia, 2015.
3. სტუდენტთა, მაგისტრთა და ასპირანტთა სამეცნიერო-ტექნიკური კონფერენცია. საქართველოს ტექნიკური უნივერსიტეტი. 2005.
4. სტუდენტთა რესპუბლიკური სამეცნიერო კონფერენცია. საქართველოს მეცნიერებათა აკადემია, საქართველოს ახალგაზრდა მეცნიერთა აკადემია. 2005.

სამეცნიერო საგრანტო პროექტებში მონაწილეობა:
SRNSF -AR -216902 ნახევარგამტარული იონიმპლანტაციური ნეიტრონების დეტექტორი ბირთვული უსაფრთხოებისათვის. შოთა რუსთაველის ეროვნული სამეცნიერო ფონდი (2016-2018წწ).
SRNSF-FR-217562. Si-Ge  მონოკრისტალების შინაგანი ხახუნის სპექტრებისა და მიკროსისალის თავისებურებანი. შოთა რუსთაველის ეროვნული სამეცნიერო ფონდი. (2016-2019წწ).
STCU #467 SiGe-ს ფუძეზე მოცულობითი მონოკრისტალებისა და ჰეტეროეპიტაქსიური სტრუქტურების დამუშავება ახალი ოპტოელექტრონული ხელსაწყოებისათვის
(STCU)  (2011-2013წწ)
# SfP 980981. System for Protecting People and Underground Facilities from Internal Terrorist Explosion. NATO. (2006-2007).
ბეჭდვა