დაბადების თარიღი: 1984.07.20.
ელ-ფოსტა: gioarchv@gmail.com
განათლება: უმაღლესი
• 2009-2012 წწ.:
საქართველოს ტექნიკური უნივერსიტეტი. დოქტორანტურა. სპეციალობა:
ფიზიკა
• 2005-2007 წწ.: საქართველოს
ტექნიკური უნივერსიტეტი. მაგისტრატურა. ფაკულტეტი: ინფორმატიკა და
მართვის სისტემები. სპეციალობა: საინჟინრო ფიზიკა.
• 2001-2005 წწ.: საქართველოს
ტექნიკური უნივერსიტეტი. ბაკალავრიატი. ფაკულტეტი: გამოყენებითი
ფიზიკა. სპეციალობა: მიკროელექტრონიკა და ნახევარგამტარული
ხელსაწყოები.
სამეც. / აკად. ხარისხი: საინჟინრო ფიზიკის დოქტორის აკადემიური ხარისხი
თანამდებობა: რადიოფიზიკური და ელექტრონული სისტემების მოდელირებისა და სისტემატექნიკის განყოფილების უფროსი.
სამუშო გამოცდილება:
• 2017 წლიდან დღემდე
სოხუმის ილია ვეკუას ფიზიკა-ტექნიკის ინსტიტუტი, რადიოფიზიკური და
ელექტრონული სისტემების მოდელირებისა და სისტემატექნიკის განყოფილება.
განყოფილების უფროსი;
• 2008 -2017წწ.: სოხუმის ილია
ვეკუას ფიზიკა-ტექნიკის ინსტიტუტი, რადიოფიზიკური და ელექტრონული
სისტემების მოდელირებისა და სისტემატექნიკის განყოფილება. უფროსი
მეცნიერ-თანამშრომელი;
• 2008 წლიდან-დღემდე: მაღალი
სამედიცინო ტექნოლოგიების ცენტრი-საუნივერსიტეტო კლინიკა. რადიაციული
ონკოლოგიის დეპარტამენტი. სამედიცინო ფიზიკოსთა ხელმძღვანელი;
• 2008 წწ.: FTG LLC.
IT-განყოფილების ხელმძღვანელი;
• 2006-2008 წწ.: საქართველოს ა.
ღვამიჩავას სახ. ონკოლოგიის ნაციონალური ცენტრი. სამედიცინო
ფიზიკოსი;
• 2006-2005 წწ.: შპს “Megatron”.
სამეცნიერო ტექნოლოგიური ჯგუფის ხელმძღვანელი;
• 2002-2006 წწ.: საქართველოს
ტექნოკური უნივერსიტეტთან არსებული სტრუქტურული კვლევის რესპუბლიკური
ცენტრი;
• 2000-2002 წწ.: FUJI
ფოტოლაბორატორია. პროგრამული უზრუნველყოფის ოპერატორი.
შერჩეული პუბლიკაციები:
1. A. Guldamashvili, G.
Bokuchava, G. Archuadze, Yu. Nardaia, Ts. Nebieridze, A.Sichinava,
R. Melkadze, N.Gapishvili. Development of Technological Conditions
of Ion Implantation of Silicon by Boron for Ion Implanted Neutron
Sensors. Bulletin, Georgian National Academy of Sciences, Vol. 12,
No. 1, 2018; ISSN- 0132-1447.
2. I. Kurashvili, G.
Darsavelidze, G.Bokuchava, G. Chubinidze, I. Tabatadze, G.
Archuadze. Influence of Radiation Defects on Internal Friction
Spectra of SiGe Crystals. Bulleting of the Georgian National
Academy of Sciences. vol.12, #3, 2018. p. 57-61.
3. A. Sichinava, G. Bokuchava, G. Chubinidze, N. Gapishvili, G. Archuadze. Influence of Irradiation on mechanical properties of Si-Ge alloys. Phys. Stat. Sol. C14, No. 7 , 2017.
3. A. Sichinava, G. Bokuchava, G. Chubinidze, N. Gapishvili, G. Archuadze. Influence of Irradiation on mechanical properties of Si-Ge alloys. Phys. Stat. Sol. C14, No. 7 , 2017.
4. Influence of Argon Ion
Irradiation on the Electrical Characteristics of Si-Ge Substrates
Proceedings of International Conference on Advanced Materials and
Technologies, Vol. 1 (2015): p.83-85
5. G.Darsavelidze, G.Bokuchava,
G.Chubinidze, I.Kurashvili, G.Archuadze, B.Shirokov. Dynamic
mechanical properties of Si-Ge monocrystalline systems.
Proceedings of XX International Conference on Physics of Radiation
Phenomena and Radiation Material Science. Alushta, 2012,
p.279-280.
6. Archuadze G., Darchiashvili
M., Sanaia E., Baratashvili I., Darsavelidze G. Amplitude Dependent
Inelasticity in Undoped Polycrystalline Germanium. Bulletin of the
Georgian National Academy of Sciences, Vol. 4, No. 3, 2010;
ISSN- 0132-1447
7. Г .Н. Арчуадзе, М.Д.
Дарчиашвили, Н.В. Кобулашвили, А.А. Куция, Д.Т. Мхеидзе, М.Дж.
Билисеишвили. Физико-Механические свойства монокристаллических
сплавов Ge-Si. Georgian Chemical Journal, Vol 9 #6 2009. p.
511-513.
8. Janelidze A., Kurashvili I.,
Janelidze G., Esiava R., Darsavelidze G., Archuadze G.
Electrophysical and Physical-mechanical Properties of Boron and
Phosphorus Doped Monocrystalline Silicon. Georgian Academy of
Education Sciences GTU, Application Appendix to the Journal
“Newsletters” Academy of Education Sciences of Georgia, Works
9,2007, pp. 330-337.
9. Г .Н. Арчуадзе,Чубинидзе Г.Г.,
Сичинава А.В., Билисейшвили М.Д., Курашвили И.Р. Tермическое
расширение и неупругие свойства монокристаллов
Ge1-xSix (x0,02). Химический журнал Грузии,
№3, (2011).
10. არჩუაძე გ. ჩუბინიძე გ.
სიჭინავა ა. ქუთელია რ. ტაბატაძე ი. თერმული დამუშავებისა და გრეხითი
დეფორმაციის გავლენა მონოკრისტალური Ge-Si შენადნობების
ფიზიკურ-მექანიკურ თვისებებზე. სტუ. საერთაშორისო სამეცნიერო
კონფერენციის “გამოყენებითი ფიზიკის აქტუალური საკითხები“ თეზისების
კრებული, 2011.
11. არჩუაძე გ. ჩუბინიძე გ.
სიჭინავა ა. ქუთელია რ. ტაბატაძე ი. თერმული დამუშავებისა და გრეხითი
დეფორმაციის გავლენა მონოკრისტალური Ge-Si შენადნობების
ფიზიკურ-მექანიკურ თვისებებზე. საერთაშორისო სამეცნიერო კონფერენციის
მოხსენებათა კრებული “გამოყენებითი ფიზიკის აქტუალური საკითხები“
თბილისი, გამომცემლობა „ტექნიკური უნივერსიტეტი“. 2011.
12. არჩუაძე გ. მექანიკური
რელაქსაციური პროცესები ბორით ლეგირებულ მონოკრისტალურ
Ge0,99Si0,01 შენადნობებში. საქართველოს
ქიმიური ჟურნალი. 2011, ტ.12, N4.
13. Archuadze G. Chubinidze G.G.,
Kurashvili I.R., Bokuchava G.V., Darsavelidze G.Sh. Inelastic
Characteristics of Monocrystalline Ge-Si Alloys . Georgian
International Journal of Science and Technology, Nova science
publishers, Inc.New York. 2011. ISSN1939-5825 Volume 3, #4.
14. Д.Е. Канчавели, А.Б.
Капанадзе, Г.А. Киладзе, Г.Н. Арчуадзе. ARIA-Новая система
информационного обеспечения работы департамента радиационной
онкологии. IV Кoнгресс онкологов стран Южного Кавказа,
60-летие онкологической службы грузии. Материалы конгресса 2007,
Тбилиси, Грузия. стр. 280-281.
საერთაშორისო სამეცნიერო ფორუმებში (კონფერენციებში) მონაწილეობა:
1. GADEST 2017- Ion Implanted
Silicon Diode for Neutron Detection. Lopota. Georgia, 2017
2. International conference
ADVANCED MATERIALS AND TECHNOLOGIES (ICAMT 2015). Influence of Ar
irradiation on mechanical properties of monocrystalline Si-Ge
alloys. Tbilisi, Georgia, 2015.
3. სტუდენტთა, მაგისტრთა და
ასპირანტთა სამეცნიერო-ტექნიკური კონფერენცია. საქართველოს ტექნიკური
უნივერსიტეტი. 2005.
4. სტუდენტთა რესპუბლიკური
სამეცნიერო კონფერენცია. საქართველოს მეცნიერებათა აკადემია,
საქართველოს ახალგაზრდა მეცნიერთა აკადემია. 2005.
სამეცნიერო საგრანტო პროექტებში მონაწილეობა:
SRNSF -AR
-216902 ნახევარგამტარული იონიმპლანტაციური ნეიტრონების
დეტექტორი ბირთვული უსაფრთხოებისათვის. შოთა რუსთაველის ეროვნული
სამეცნიერო ფონდი (2016-2018წწ).
SRNSF-FR-217562.
Si-Ge მონოკრისტალების შინაგანი ხახუნის სპექტრებისა და
მიკროსისალის თავისებურებანი. შოთა რუსთაველის ეროვნული სამეცნიერო
ფონდი. (2016-2019წწ).
STCU #467 SiGe-ს
ფუძეზე მოცულობითი მონოკრისტალებისა და ჰეტეროეპიტაქსიური
სტრუქტურების დამუშავება ახალი ოპტოელექტრონული
ხელსაწყოებისათვის
(STCU) (2011-2013წწ)
# SfP 980981.
System for Protecting People and Underground Facilities from
Internal Terrorist Explosion. NATO. (2006-2007).