ანზორ გულდამაშვილი

დაბადების თარიღი: 16.06.1932
ელ-ფოსტა: anzor.guldamashvili@gmail.com

განათლება:
•1986 წწ. ეროვნული სამეცნიერო ცენტრი " ხარკოვის ფიზიკა­ტექნიკის ინსტიტუტი". სპეციალობა: მყარი სხეულების და კვანტური სითხეების ფიზიკა;
•1950-1955 წწ. ივანე ჯავახიშვილის თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტი. სპეციალობა: ფიზიკა.

სამეც. / აკად. ხარისხი: ფიზ.-მათ. მეცნ. დოქტორი
თანამდებობა: ლაბორატორიის ხელმძღვანელი


სამუშო გამოცდილება:
•2005 წლიდან  დღემდე. სსიპ სოხუმის ილია ვეკუას ფიზიკა­ტექნიკის ინსტიტუტი. ნახევარგამტარული და რადიაციული ტექნოლოგიების ლაბორატორია. ლაბორატორიის ხელმძღვანელი.
•1981-2005 წწ. სტაბილური იზოტოპების სამეცნიერო­ კვლევითი ინსტიტუტი. მყარი სხეულების რადიაციული ფიზიკისა და რადიაციული მასალათმცოდნეობის ლაბორატორია. ლაბორატორიის ხელმძღვანელი.
•1962-1980 წწ. სოხუმის ფიზიკა­ტექნიკის ინსტიტუტი. იონური ლეგირების ლაბორატორია. ლაბორატორიის ხელმძღვანელი.
•1958-1962წწ. სოხუმის ფიზიკა­ტექნიკის ინსტიტუტი. იონ­ატომების ურთიერთქმედების ლაბორატორია. მეცნიერ­თანამშრომელი.
•1955-1958 წწ. სოხუმის ფიზიკა­ტექნიკის ინსტიტუტი. ბირთვული სპექტროსკოპიის ლაბორატორია. უმცროსი მეცნიერ­თანამშრომელი.

პუბლიკაციების რაოდენობა : 170

შერჩეული პუბლიკაციები:
1.A.Guldamashvili, Yu. Nardaya, Ts. Nebieridze, E. Sanaia, A. Sichinava, M. Kadaria. Radiation hardening of molybdenum  by argon ion implantation. Journal of Materials Science &  Engineering: A. 2017
2.A.Guldamashvili, Yu. Nardaya, Ts. Nebieridze, E. Sanaia, A. Sichinava, M. Kadaria Mechanical Properties of Tungsten Implanted with. Boron and Carbon Ions. Journal of Materials Science &  Engineering: A. 2017, V.7, (3-4).
3.ა.გულდამაშვილი, ი. ნარდაია, ც. ნებიერიძე, ე. სანაია, ა. სიჭინავა, მ. ქადარია. ვოლფრამის ზედაპირების მოდიფიკაცია იონური იმპლანტაციის ტექნოლოგიით. მე­4 საერთაშორისო კონფერენცია “ნანოტექნოლოგიები” ნანო – 2016, შრომები. 2016
4.ა. გულდამაშვილი, გ. ბოკუჩავა, ა. ინალიშვილი, ვ. კუჭუხიძე. ბურთულა­ საკისრების დამჭერები იონების დაბომბვით ბურთულების მოდიფიცირებისათვის. Georgian Engineering News. №.2, ტ. 70. 2014
5.ა. გულდამაშვილი, იონიმპლანტირებული ჟანგბადის დიფუზია GaAs. საქართველოს ქიმიური ჟურნალი,11,№4. 2011
6.A. Guldamashvili, G. Bokuchava, G. Darsavelidze, T. Nebieridze, A. Sichinava. Determination of the Laws and Mechanism of Degradation of Thermoelectric  Properties of Si­Ge Alloys During Irradiation in Reactor. Bulletin of the Georgian National Academy of Sciences, v.3, №3. 2009.
7.A.Guldamashvili. Strength Loss and Swelling of Boron Carbide and Boron During Bombardment with various Ions. Air and Space Technology, #,2 (38). 2007
8.Дарсавелидзе Г.Ш., Мхеидзе Т.Д., Курашвили И.Р., Эсиава Р.А., Бокучава Г.В., Широков Б.В, Гулдамашвили А. И. Влияние германия на физико­механические характеристики монокристаллического кремния. Вопросы проектирования и производства конструкции летатeльных аппаратов. Спец. Вып.,«Новые технологии в машиностроении», №3 (50). Сборник трудов. Харьов, “ХАИ”. 2007
9.A. Guldamashvili, V. Kulikauskas. Phase Transition During Low­Fluence Ion Irradation. Bulletin of the Georgian Academy of Sciences. v.153, #2. 1996
10.A. Guldamashvili. Radiation damage of materials under irradiation. Voprosi Atomnoi     Nauki i Tekhniki. Ser.: Radiation Damage Physics and Radiation Technology. iss.(56). 1981

საერთაშორისო სამეცნიერო ფორუმებში (კონფერენციებში) მონაწილეობა:
•2017 - Sustainable Industrial Processing Summit & Exhibition.  Radiation hardening of molybdenum  by argon ion implantation Cancun, Mexico, 2017.
•GADEST  2017, Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology. Ion Implanted Silicon Diode for Neutron Detection. Lopota, Georgia, 2017.
•International conference ADVANCED MATERIALS AND TECHNOLOGIES (ICAMT 2015). Surface Modification of AISI 310 and 440C Steels by Ion Implantation. Tbilisi, Georgia. 2015.
•International conference ADVANCED MATERIALS AND TECHNOLOGIES (ICAMT 2015). Major Stages of Ion Implantation Development in Ilia Vekua Sukhumi Institute of Physics and Technology. Tbilisi, Georgia. 2015.
•International Conference. Nuclear Radiation Nanosensors and Nanosensors Systems. Ion­Implanted Nanosized Metals with Improved Surface Layer Mechanical Parameters. Tbilisi, Georgia. 2014.
•International Conference. Nuclear Radiation Nanosensors and Nanosensors Systems. Ion­Implanted Semiconductor Neutron Sensor. Tbilisi, Georgia. 2014.
•XX International Conference on Physics of Radiation Phenomena & Radiation Material Science. Boron Carbide Synthesis by Boron Implantation with Carbon Ions. Alushta, Russia. 2012

სამეცნიერო საგრანტო პროექტებში მონაწილეობა :
•# 216902 ნახევარგამტარული იონიმპლანტაციური ნეიტრონების დეტექტორი ბირთვული უსაფრთხოებისათვის. შოთა რუსთაველის ეროვნული სამეცნიერო ფონდი SRNSF. 2016-2019. (ძირითადი პერსონალი)
•AR/167/3­121/14. გაუმჯობესებული მექანიკური პარამეტრების იონიმპლანტაციური მასალების შექმნა გაზრდილი ექსპლოატაციური მახასიათებლების ნაკეთობათა წარმოებისათვის. შოთა რუსთაველის ეროვნული სამეცნიერო ფონდი SRNSF. 2015-2017 (პროექტის ხელმძღვანელი)
•Р466 . რადიაციულად მოდიფიცირებული იონური იმპლანტირებული მასალები. მეცნიერების და ტექნოლოგიების ცენტრი უკრაინაში STCU და აშშ­ს ენერგეტიკის დეპარტამენტი DOE. 2012-2014. (პროექტის ხელმძღვანელი)
•GNSF/ST08/7­476 იონიმპლანტირებული ახალი მასალები მიკრო­ და ნანოტექნოლოგიებისთვის. შოთა რუსთაველის ეროვნული სამეცნიერო ფონდი SRNSF. 2008-2010 (პროექტის ხელმძღვანელი)
•#G-3997 Si-Ge შენადნობის საფუძველზე ნახევარგამტარი მოცულობითი კრისტალებისა და ეპიტაქსიური  სტრუქტურების დამუშავება და კვლევა. მეცნიერების და ტექნოლოგიების ცენტრი უკრაინაში STCU. 2008-2010.    (მკვლევარი).