დაბადების
თარიღი: 16.06.1932
ელ-ფოსტა:
anzor.guldamashvili@gmail.com
განათლება:
•1986 წწ. ეროვნული სამეცნიერო
ცენტრი " ხარკოვის ფიზიკატექნიკის ინსტიტუტი". სპეციალობა: მყარი
სხეულების და კვანტური სითხეების ფიზიკა;
•1950-1955 წწ. ივანე ჯავახიშვილის
თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტი. სპეციალობა: ფიზიკა.
სამეც. / აკად. ხარისხი: ფიზ.-მათ. მეცნ. დოქტორი
თანამდებობა:
ლაბორატორიის ხელმძღვანელი
სამუშო გამოცდილება:
•2005 წლიდან დღემდე. სსიპ
სოხუმის ილია ვეკუას ფიზიკატექნიკის ინსტიტუტი. ნახევარგამტარული და
რადიაციული ტექნოლოგიების ლაბორატორია. ლაბორატორიის
ხელმძღვანელი.
•1981-2005 წწ. სტაბილური
იზოტოპების სამეცნიერო კვლევითი ინსტიტუტი. მყარი სხეულების
რადიაციული ფიზიკისა და რადიაციული მასალათმცოდნეობის ლაბორატორია.
ლაბორატორიის ხელმძღვანელი.
•1962-1980 წწ. სოხუმის
ფიზიკატექნიკის ინსტიტუტი. იონური ლეგირების ლაბორატორია.
ლაბორატორიის ხელმძღვანელი.
•1958-1962წწ. სოხუმის
ფიზიკატექნიკის ინსტიტუტი. იონატომების ურთიერთქმედების
ლაბორატორია. მეცნიერთანამშრომელი.
•1955-1958 წწ. სოხუმის
ფიზიკატექნიკის ინსტიტუტი. ბირთვული სპექტროსკოპიის ლაბორატორია.
უმცროსი მეცნიერთანამშრომელი.
პუბლიკაციების რაოდენობა : 170
შერჩეული პუბლიკაციები:
1.A.Guldamashvili, Yu. Nardaya,
Ts. Nebieridze, E. Sanaia, A. Sichinava, M. Kadaria. Radiation
hardening of molybdenum by argon ion implantation. Journal of
Materials Science & Engineering: A. 2017
2.A.Guldamashvili, Yu. Nardaya,
Ts. Nebieridze, E. Sanaia, A. Sichinava, M. Kadaria Mechanical
Properties of Tungsten Implanted with. Boron and Carbon Ions.
Journal of Materials Science & Engineering: A. 2017, V.7,
(3-4).
3.ა.გულდამაშვილი, ი. ნარდაია, ც.
ნებიერიძე, ე. სანაია, ა. სიჭინავა, მ. ქადარია. ვოლფრამის
ზედაპირების მოდიფიკაცია იონური იმპლანტაციის ტექნოლოგიით. მე4
საერთაშორისო კონფერენცია “ნანოტექნოლოგიები” ნანო – 2016, შრომები.
2016
4.ა. გულდამაშვილი, გ. ბოკუჩავა,
ა. ინალიშვილი, ვ. კუჭუხიძე. ბურთულა საკისრების დამჭერები იონების
დაბომბვით ბურთულების მოდიფიცირებისათვის. Georgian Engineering News.
№.2, ტ. 70. 2014
5.ა. გულდამაშვილი,
იონიმპლანტირებული ჟანგბადის დიფუზია GaAs. საქართველოს ქიმიური
ჟურნალი,11,№4. 2011
6.A. Guldamashvili, G. Bokuchava,
G. Darsavelidze, T. Nebieridze, A. Sichinava. Determination of the
Laws and Mechanism of Degradation of Thermoelectric
Properties of SiGe Alloys During Irradiation in Reactor. Bulletin
of the Georgian National Academy of Sciences, v.3, №3. 2009.
7.A.Guldamashvili. Strength Loss
and Swelling of Boron Carbide and Boron During Bombardment with
various Ions. Air and Space Technology, #,2 (38). 2007
8.Дарсавелидзе Г.Ш., Мхеидзе
Т.Д., Курашвили И.Р., Эсиава Р.А., Бокучава Г.В., Широков Б.В,
Гулдамашвили А. И. Влияние германия на физикомеханические
характеристики монокристаллического кремния. Вопросы проектирования
и производства конструкции летатeльных аппаратов. Спец. Вып.,«Новые
технологии в машиностроении», №3 (50). Сборник трудов. Харьов,
“ХАИ”. 2007
9.A. Guldamashvili, V.
Kulikauskas. Phase Transition During LowFluence Ion Irradation.
Bulletin of the Georgian Academy of Sciences. v.153, #2. 1996
10.A. Guldamashvili. Radiation
damage of materials under irradiation. Voprosi Atomnoi
Nauki i Tekhniki. Ser.: Radiation Damage Physics and
Radiation Technology. iss.(56). 1981
საერთაშორისო სამეცნიერო ფორუმებში (კონფერენციებში) მონაწილეობა:
•2017 - Sustainable Industrial
Processing Summit & Exhibition. Radiation hardening of
molybdenum by argon ion implantation Cancun, Mexico,
2017.
•GADEST 2017, Gettering and
Defect Engineering in Semiconductor Technology. Ion Implanted
Silicon Diode for Neutron Detection. Lopota, Georgia, 2017.
•International conference
ADVANCED MATERIALS AND TECHNOLOGIES (ICAMT 2015). Surface
Modification of AISI 310 and 440C Steels by Ion Implantation.
Tbilisi, Georgia. 2015.
•International conference
ADVANCED MATERIALS AND TECHNOLOGIES (ICAMT 2015). Major Stages of
Ion Implantation Development in Ilia Vekua Sukhumi Institute of
Physics and Technology. Tbilisi, Georgia. 2015.
•International Conference.
Nuclear Radiation Nanosensors and Nanosensors Systems.
IonImplanted Nanosized Metals with Improved Surface Layer
Mechanical Parameters. Tbilisi, Georgia. 2014.
•International Conference.
Nuclear Radiation Nanosensors and Nanosensors Systems.
IonImplanted Semiconductor Neutron Sensor. Tbilisi, Georgia.
2014.
•XX International Conference on
Physics of Radiation Phenomena & Radiation Material Science. Boron
Carbide Synthesis by Boron Implantation with Carbon Ions. Alushta,
Russia. 2012
სამეცნიერო საგრანტო პროექტებში მონაწილეობა :
•# 216902 ნახევარგამტარული
იონიმპლანტაციური ნეიტრონების დეტექტორი ბირთვული უსაფრთხოებისათვის.
შოთა რუსთაველის ეროვნული სამეცნიერო ფონდი SRNSF. 2016-2019.
(ძირითადი პერსონალი)
•AR/167/3121/14. გაუმჯობესებული
მექანიკური პარამეტრების იონიმპლანტაციური მასალების შექმნა გაზრდილი
ექსპლოატაციური მახასიათებლების ნაკეთობათა წარმოებისათვის. შოთა
რუსთაველის ეროვნული სამეცნიერო ფონდი SRNSF. 2015-2017 (პროექტის
ხელმძღვანელი)
•Р466 . რადიაციულად
მოდიფიცირებული იონური იმპლანტირებული მასალები. მეცნიერების და
ტექნოლოგიების ცენტრი უკრაინაში STCU და აშშს ენერგეტიკის
დეპარტამენტი DOE. 2012-2014. (პროექტის ხელმძღვანელი)
•GNSF/ST08/7476
იონიმპლანტირებული ახალი მასალები მიკრო და ნანოტექნოლოგიებისთვის.
შოთა რუსთაველის ეროვნული სამეცნიერო ფონდი SRNSF. 2008-2010
(პროექტის ხელმძღვანელი)
•#G-3997 Si-Ge შენადნობის
საფუძველზე ნახევარგამტარი მოცულობითი კრისტალებისა და
ეპიტაქსიური სტრუქტურების დამუშავება და კვლევა. მეცნიერების და
ტექნოლოგიების ცენტრი უკრაინაში STCU. 2008-2010.
(მკვლევარი).